全球最大氮化镓工厂英诺赛科预计月底通线试产

据媒体报道，江苏省重大项目英诺赛科氮化镓（GaN）项目日前完成了一期厂房建设及生产设备搬入，预计今年11月底实现通线试产，明年4月正式投产。英诺赛科苏州第三代半导体基地位于江苏省苏州市吴江区汾湖高新区，一期投资总额超60亿元人民币，满产后将实现月产8英寸硅基氮化镓晶圆65000片。

中泰证券刘尚认为，随着行业大规模商用，GaN生产成本有望迅速下降，进一步刺激GaN器件渗透，有望成为消费电子领域下一个杀手级应用。上市公司中，捷捷微电已与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件，截止至2020年2月20日，公司拥有氮化镓相关实用新型专利2件，还有3个发明专利；扬杰科技已成功开发出多款碳化硅器件产品，目前与北京大学合作研发垂直结构的氮化镓二极管。